：発明対価４０億円訴訟判決⇒「舛岡に対し8700万円を支払」
中村 修二、日本出身の⇒★アメリカ人（：日本に嫌気さして！？）日亜化学工業在籍時に、世界に先駆けて実用に供するレベルの高輝度青色発光ダイオードを発明・開発。赤崎勇・天野浩と共同で2014年にノーベル物理学賞を受賞した
青色発光ダイオードの（；一審）和解金はなぜ約200億円から⇒★6億円に減額になった ...tropicana100.at.webry.info/200606/article_1.html
2006/06/06 - この訴訟は一般的には「青色発光ダイオード（LED）裁判」として知られている場合が多い。 ... その後2003年1月30日、発明の譲渡対価について、被告会社に対し約200億円の支払いを命じる判決がなされた。 ... 和解金は404特許も含めた原告の関わった全職務発明に対して★約6億円（実際は延滞損害金（：５％）も★加えた約8億円）となり、 ...
抜粋：技術を★サムスン電子に★供与したが、サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を★追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで★首位に立っている。
“勇気”をもって世界を変えた、知られざる日本人の姿に迫る『ブレイブ 勇敢なる者』。
11月23日木曜 ＮＨＫ総合１ 午後11時00分～ 午後11時50分
「硬骨エンジニア」
“勇気”をもって世界を変えた、知られざる日本人の姿に迫る『ブレイブ 勇敢なる者』。
原発事業で巨額損失を計上し、稼ぎ頭の半導体事業を分社化し売却する東芝。2兆円と言われる資産価値は30年前、一人の男から生まれた。元東芝社員★舛岡富士雄は半導体記憶媒体フラッシュメモリを発明。
開発を強引に押し進めたが、それは当時あまりに★“非常識”な製品だった。日本発の革新的技術はいかにして生まれ、どう★世界を変えたのか？今ではスマホなど★あらゆる電化製品に組み込まれるフラッシュメモリの開発秘話に迫る。
◆舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため[1]、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。2007年春の褒章で紫綬褒章、2013年に文化功労者、2016年秋の褒章で瑞宝重光章が贈られている。
来歴[編集]
1943年 群馬県高崎市出身。
1962年 群馬県立高崎高等学校卒。
1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。研究室は西澤潤一研究室。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。
1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。
1971年 同博士後期課程修了。工学博士（東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』）。株式会社東芝に入社。
1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。
1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。
1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。
1996年 東北大学電気通信研究所教授。
1997年 IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞受賞[2]。
2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。
2007年 紫綬褒章受章。
2013年 文化功労者。
2016年 瑞宝重光章受章[3]。
フラッシュメモリ発明にまつわるエピソード[編集]
東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を★低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、あえて★性能を落としてコストを★1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。[4]
研究を続けるため東芝を退社～その後[編集]
その後、東芝は舛岡を地位こそ研究所長に次ぐ高い地位だが、反面、研究費も部下も★付かない技監（舛岡曰く窓際族）に昇進させようとした。研究を続けたかった舛岡は、何とか研究を続けられるよう懇願したが受け入れられず、1994年に東芝を退社した[5]。
◆1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術を★サムスン電子に★供与したが、サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を★追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで★首位に立っている。東芝のNAND型フラッシュメモリも★利益の大部分を稼ぎ出す主力事業に育ったが、2017年にも東芝首脳部の判断への批判があり舛岡も東芝だけではなく日本にも自身の開発した技術を★正しく評価してくれる者がいなかったと嘆いている[6]。
その後、東北大学大学院や、退官後に就任した日本ユニサンティスエレクトロニクス等で、フラッシュメモリの容量を★10倍に増やす技術や、三次元構造のトランジスタ（Surrounding Gate Transistor）など、現在も研究者として精力的に研究活動を行っている。
裁判[編集]
舛岡は自身が発明したフラッシュメモリの特許で、東芝が得た少なくとも200億円の利益のうち、発明者の貢献度を20％と算定。本来受け取るべき相当の対価を★40億円として、その一部の★10億円の支払いを求めて2004年3月2日に東芝を相手取り、東京地裁に訴えを起こした。2006年7月27日に東芝との和解が成立、東芝側は舛岡に対し★8700万円を支払うこととなった。
中村 修二、日本出身の⇒★アメリカ人（：日本に嫌気さして！？）日亜化学工業在籍時に、世界に先駆けて実用に供するレベルの高輝度青色発光ダイオードを発明・開発。赤崎勇・天野浩と共同で2014年にノーベル物理学賞を受賞した
青色発光ダイオードの（；一審）和解金はなぜ約200億円から⇒★6億円に減額になった ...tropicana100.at.webry.info/200606/article_1.html
2006/06/06 - この訴訟は一般的には「青色発光ダイオード（LED）裁判」として知られている場合が多い。 ... その後2003年1月30日、発明の譲渡対価について、被告会社に対し約200億円の支払いを命じる判決がなされた。 ... 和解金は404特許も含めた原告の関わった全職務発明に対して★約6億円（実際は延滞損害金（：５％）も★加えた約8億円）となり、 ...
抜粋：技術を★サムスン電子に★供与したが、サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を★追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで★首位に立っている。
“勇気”をもって世界を変えた、知られざる日本人の姿に迫る『ブレイブ 勇敢なる者』。
11月23日木曜 ＮＨＫ総合１ 午後11時00分～ 午後11時50分
「硬骨エンジニア」
“勇気”をもって世界を変えた、知られざる日本人の姿に迫る『ブレイブ 勇敢なる者』。
原発事業で巨額損失を計上し、稼ぎ頭の半導体事業を分社化し売却する東芝。2兆円と言われる資産価値は30年前、一人の男から生まれた。元東芝社員★舛岡富士雄は半導体記憶媒体フラッシュメモリを発明。
開発を強引に押し進めたが、それは当時あまりに★“非常識”な製品だった。日本発の革新的技術はいかにして生まれ、どう★世界を変えたのか？今ではスマホなど★あらゆる電化製品に組み込まれるフラッシュメモリの開発秘話に迫る。
◆舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため[1]、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。2007年春の褒章で紫綬褒章、2013年に文化功労者、2016年秋の褒章で瑞宝重光章が贈られている。
来歴[編集]
1943年 群馬県高崎市出身。
1962年 群馬県立高崎高等学校卒。
1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。研究室は西澤潤一研究室。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。
1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。
1971年 同博士後期課程修了。工学博士（東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』）。株式会社東芝に入社。
1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。
1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。
1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。
1996年 東北大学電気通信研究所教授。
1997年 IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞受賞[2]。
2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。
2007年 紫綬褒章受章。
2013年 文化功労者。
2016年 瑞宝重光章受章[3]。
フラッシュメモリ発明にまつわるエピソード[編集]
東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を★低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、あえて★性能を落としてコストを★1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。[4]
研究を続けるため東芝を退社～その後[編集]
その後、東芝は舛岡を地位こそ研究所長に次ぐ高い地位だが、反面、研究費も部下も★付かない技監（舛岡曰く窓際族）に昇進させようとした。研究を続けたかった舛岡は、何とか研究を続けられるよう懇願したが受け入れられず、1994年に東芝を退社した[5]。
◆1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術を★サムスン電子に★供与したが、サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を★追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで★首位に立っている。東芝のNAND型フラッシュメモリも★利益の大部分を稼ぎ出す主力事業に育ったが、2017年にも東芝首脳部の判断への批判があり舛岡も東芝だけではなく日本にも自身の開発した技術を★正しく評価してくれる者がいなかったと嘆いている[6]。
その後、東北大学大学院や、退官後に就任した日本ユニサンティスエレクトロニクス等で、フラッシュメモリの容量を★10倍に増やす技術や、三次元構造のトランジスタ（Surrounding Gate Transistor）など、現在も研究者として精力的に研究活動を行っている。
裁判[編集]
舛岡は自身が発明したフラッシュメモリの特許で、東芝が得た少なくとも200億円の利益のうち、発明者の貢献度を20％と算定。本来受け取るべき相当の対価を★40億円として、その一部の★10億円の支払いを求めて2004年3月2日に東芝を相手取り、東京地裁に訴えを起こした。2006年7月27日に東芝との和解が成立、東芝側は舛岡に対し★8700万円を支払うこととなった。